Feldeffekttransistor-Sensor
Die Erfindung betrifft einen Sensor, insbesondere für die Verwendung in der Rastersondenmikroskopie, zur Untersuchung von Probenoberflächen i. V. m. einem Feldeffekttransistor. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf einen hochauflösenden Hallsensor zum Detektieren von magnetischen Feldern.
Weitere Informationen: PDF
GINo Gesellschaft für Innovation Nordhessen mbH
Tel.: +49 (0)561/8041984
Ansprechpartner
Dr. Heike Krömker
Media Contact
Alle Nachrichten aus der Kategorie: Technologieangebote
Neueste Beiträge
Spitzenforschung in der Bioprozesstechnik
Das IMC Krems University of Applied Sciences (IMC Krems) hat sich im Bereich Bioprocess Engineering (Bioprozess- oder Prozesstechnik) als Institution mit herausragender Expertise im Bereich Fermentationstechnologie etabliert. Unter der Leitung…
Datensammler am Meeresgrund
Neuer Messknoten vor Boknis Eck wurde heute installiert. In der Eckernförder Bucht, knapp zwei Kilometer vor der Küste, befindet sich eine der ältesten marinen Zeitserienstationen weltweit: Boknis Eck. Seit 1957…
Rotorblätter für Mega-Windkraftanlagen optimiert
Ein internationales Forschungsteam an der Fachhochschule (FH) Kiel hat die aerodynamischen Profile von Rotorblättern von Mega-Windkraftanlagen optimiert. Hierfür analysierte das Team den Übergangsbereich von Rotorblättern direkt an der Rotornabe, der…