Neue chemische und physikalische Ansätze für Abscheidung, Wachstum und Lateralstrukturierung von Nanometerschichtsystemen

Das vorgelegte Forschungsprogramm vereinigt Arbeitsmethoden und Know-how der präparativen anorganischen Chemie mit denen der analytischen und mikroskopischen Oberflächen- und Dünnschichtphysik, um neuartige chemische und physikalische Ansätze für Abscheidung, Wachstum von Nanometerschichtsystemen und deren Lateralstrukturierungen zu entwickeln, zu erforschen, in ihren Grenzen auszuloten und mit bestehenden Verfahren zu vergleichen. Neuartige, weniger gefährliche und toxische metallorganische Moleküle sollen entwickelt werden, um im flächigen MOCVD oder als MOMBE Schichtstrukturen von nur wenigen nm-Dicke alternierenden Materials (Metall-Silizium oder Halbleiter-Halbleiter) entstehen zu lassen. Dabei ist ein mittel- und längerfristiges Ziel, diese CVD-Aufbringverfahren in situ durch räumlich begrenzte Energiezufuhr oder andere lokale Begrenzungen ortsaufgelöst vorzunehmen. Die chemischen Aufbringverfahren werden sowohl in situ als auch ex situ von physikalischen Messverfahren begleitet. Diese experimentellen Arbeiten werden von einer auf stochastische Methoden gestützten theoretischen Simulation ergänzt.