Anlagentechnik für das Prozessieren nanostrukturierter Oberflächen
Die hohe Oberfläche, die geordnete Struktur und die hohe elektrische Leitfähigkeit dieser binderfreien Elektroden bieten besondere Vorteile für die Anwendung in Batterien und Kondensatoren und lassen sich direkt in erhöhter Energie- und Leistungsdichte übersetzen. Auf Basis dieses Materials entstehen hochkapazitive Lithium-Schwefel-Batterien und leistungsstarke Hybridkondensatoren der nächsten Generation.
Materialauswahl und Einsatzmöglichkeiten im Gebiet der Nanotechnologien sind außerordentlich vielfältig. Insbesondere an Grenz- und Oberflächen bieten Nanostrukturen einzigartige elektrische, optische und mechanische Eigenschaften. Viele dieser Eigenschaften und mögliche Anwendungen sind bereits im Labormaßstab demonstriert worden. Für den nächsten Schritt in die Anwendung stehen die Verfahren vor der Herausforderung, die Skalierbarkeit der Materialherstellung zumindest im Pilotlinien-Maßstab zu demonstrieren und die Materialien für den Einsatz in Produkten zu erproben.
Um speziell im Bereich der nanostrukturierten Oberflächen den nächsten Schritt in Richtung Produktion und Anwendungen zu gehen, hat sich im Rahmen des Projektes „PLIANT – Process Line Implementation for Applied Surface Nanotechnologies“ ein auf europäischer Ebene breit aufgestelltes Konsortium zusammengefunden. Ziel des im Februar 2013 gestarteten und mit 13,4 Mio. EUR budgetierten Verbundprojekts PLIANT ist es, die wissenschaftliche, fertigungs- und produktionstechnische Führungsrolle Europas durch die Entwicklung innovativer Nano- und Oberflächentechnologien auszubauen. Kompetenzen von 13 Unternehmen, 5 Forschungseinrichtungen und drei Universitäten aus 8 Ländern fließen zusammen und formen ein starkes Forschungsteam.
Unter Leitung des Fraunhofer-Institutes für Werkstoff- und Strahltechnik IWS und Mitarbeit des Lehrstuhles Anorganische Chemie der TU Dresden setzen Anlagenhersteller und Entwickler aus den Bereichen Oberflächen- und Beschichtungstechnologien sowie Prozess-Monitoring ihre hochgesteckten Ziele auf mehrere Säulen. Im Ergebnis des Projektes entstehen 3 Pilotlinien für konkrete Anwendungen in den Bereichen Energiespeicher, Photovoltaik und Luftfahrt. Sie werden unter Mitwirkung von führenden Herstellern und Entwicklern dieser Branchen spezifiziert und evaluiert.
Die erste Pilotlinie zielt auf die Herstellung von ausgerichteten Kohlenstoffnanoröhren auf Elektrodenoberflächen im Rolle-zu-Rolle Verfahren. Die zweite Pilotlinie erzeugt durch den Einsatz innovativer Dünnschichttechnologien bei Atmosphärendruck nanostrukturierte Funktionsschichten für Dünnschichtsolarzellen. Sie zeichnen sich durch Vorteile in der Performance und den Herstellkosten aus.
Die dritte Pilotlinie zielt auf die Oberflächenvorbehandlung von Leichtbaukomponenten im Flugzeug durch Atmosphärendruck-Plasmaquellen. Entstehende nanostrukturierte Grenzflächen und Kleb-Verbindungen sollen dauerhaft und sicher halten.
Das PLIANT-Projekt ist nur ein Beispiel für eine Vielzahl von Aktivitäten im Bereich Energieforschung. Vom 28. bis 29.Mai 2013 präsentieren die Forscher des Fraunhofer IWS und der TU Dresden ihre Projektergebnisse gemeinsam mit Rednern aus anderen Forschungseinrichtungen und aus der Industrie auf der 2. Dresdner Konferenz „Zukunft Energie“. In 8 Sessions mit insgesamt 30 Vorträgen sowie einer begleitenden Fachausstellung besteht die Möglichkeit der Information und des wissenschaftlichen Austausches.
Ihre Ansprechpartner für weitere Informationen:
Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS Dresden
01277 Dresden, Winterbergstr. 28
Dr. Holger Althues
Telefon: (0351) 83391 3476
Telefax: (0351) 83391 3300
E-mail: holger.althues@iws.fraunhofer.de
Presse und Öffentlichkeitsarbeit
Dr. Ralf Jäckel
Telefon: (0351) 83391 3444
Telefax: (0351) 83391 3300
E-mail: ralf.jaeckel@iws.fraunhofer.de
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Dieses Fachgebiet umfasst wissenschaftliche Verfahren zur Änderung von Stoffeigenschaften (Zerkleinern, Kühlen, etc.), Stoffzusammensetzungen (Filtration, Destillation, etc.) und Stoffarten (Oxidation, Hydrierung, etc.).
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