Besser Ätzen dank Industriekooperation

Erfolgreiches Entwicklungsprojekt mit SENTECH Instruments. Neue Perspektiven für Galliumnitrid-Mikrowellenbauelemente am FBH.

Das Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) hat dazu beigetragen, dass die Adlershofer Firma SENTECH eine neue Plasmaquelle für ein Ätzgerät entwickeln konnte. Der ICP-Ätzer SI 500 mit der patentierten Plasmaquelle wird bereits am FBH eingesetzt. „Mit diesem Gerät werden international Maßstäbe gesetzt und wir erschließen damit neue Anwendungspotenziale“, erläutert Dr. Joachim Würfl, Leiter der Abteilung Prozesstechnologie am FBH, die Bedeutung der neuen technologischen Möglichkeit. „Jetzt können wir nicht nur die Performance und Leistungsdichte unserer Chips weiter steigern, sondern sind weltweit eine der Wenigen, die die Voraussetzungen für den kompletten Fertigungsprozess für Galliumnitrid-basierte Halbleiter-Mikrowellen bauelemente bieten.“

Die neue Maschine ermöglicht es dem Leibniz-Institut, wirtschaftlich relevante Mikro- bzw. Nanostrukturierung an extrem inerten und harten Materialien wie Siliziumkarbid (SiC), dem Substratmaterial für Galliumnitrid (GaN)-Bauelemente, vorzunehmen. Das Berliner Institut setzt die Anlage im Forschungsbetrieb für Hochrate-Ätzprozesse ein und verfügt nun über eine weitere vielseitige Strukturierungstechnologie. Dieser Ausbau der Leistungskapazitäten erlaubt es, die theoretisch möglichen Absolutleistungen und Leistungsdichten von neuartigen Mikrowellen-Leistungsbauelementen auf GaN- und SiC- Basis praktisch umzusetzen und zu demonstrieren.

Die jetzt gelieferte Hochrate-Plasmaätzanlage ist das jüngste Ergebnis einer mehr jährigen, von der Investitionsbank Berlin geförderten Kooperation zwischen dem FBH und SENTECH. Zielsetzung des gemeinsamen Projekts war es, in kurzer Zeit eine hocheffiziente, homogene Plasmaquelle optimal an die technologischen Anforderungen des FBH anzupassen. Diese sollte insbesondere die Erfordernisse eines modernen Halbleiterprozesses berücksichtigen – unter anderem bei der Realisierung von Mikrowellen-Leistungstransistoren auf GaAs- und SiC-Basis.

Das FBH hat das Projekt von Forschungs- und Anwenderseite begleitet und war für die Anpassung der Prozesse an die Anforderungen der GaAs- und SiC-Technologie zuständig. Die hier gewonnen Erkenntnisse flossen direkt in die technologische Entwicklung bei SENTECH ein und bilden die Grundlage für zukünftige Innovationen auf dem Gebiet der GaN-Technologie. „Durch die Synergieeffekte mit dem FBH ist uns in Deutschland die Entwicklung einer State-of-the-Art-Technologie bei modernsten Plasmaätzverfahren gelungen“, freut sich Dr. Albrecht Krüger, Geschäftsführer von SENTECH Instruments, „damit können wir neue Märkte erschließen und uns an attraktiven internationalen Ausschreibungen erfolgreich beteiligen.“

Weitere Informationen:

Dr. Joachim Würfl
Abteilungsleiter Prozesstechnologie
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik
Albert-Einstein-Straße 11, 12489 Berlin
Tel. 030.6392-2690, Fax -2685
E-Mail wuerfl@fbh-berlin.de