Isolationsmaterial mit niedriger Dielektrizitätskonstante k kleiner als 2
Die hier vorliegende Erfindung bietet ein Isolationsschichtmaterial für die Mikroelektronik mit niedriger Dielektrizitätskonstante k kleiner als 2 sowie ein dazugehöriges Herstellungs-verfahren an. Das erfindungsgemäße Isolationsschichtmaterial setzt sich aus fluorierten Kohlenstoffnanoröhrchen, die mittels eines Haftmittels zusammengebunden werden, zusammen.
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Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Tel.: +49 (0)89/1205-6000
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Dr. Wolfgang Knappe
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