Halbleiterbauelement mit p-leitfähiger Halbleiterschicht auf ZnO-Basis und N – H-Dotierung für blaue LED und TFT
Diese Innovation ermöglicht ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von p-leitfähigen Zinkoxid-basierten Halbleiterschichten. Halbleitermaterialien auf ZnO-Basis bilden ein alternatives Materialsystem zu den Gruppe-III-Nitrid-Halbleitern für die Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen, wie Leuchtdioden und Laserdioden.
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