Herstellung und Verwendung eines integrierten nichtflüchtigen Speicherelements
Die Erfindung betrifft ein integriertes elektronisches Bauelement, speziell ein integriertes nichtflüchtiges Speicherbauelement. Dabei wird eine Anordnung vorgegeben, bei der keine Leckströme an der Steuerelektrode und keine Depolarisationsfelder aufgrund der Ausgestaltung des FETs mit einem ferroelektrischen Kanal entstehen.
Weitere Informationen: PDF
GWT-TUD GmbH; FB Sächsische PatentVerwertungsAgentur (SPVA)
Tel.: +49 351 25933 120
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Beate-Victoria Ermisch
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