Phase Change ROM – Galliumoxid zur Datenspeicherung
Die Phase Change ROM basiert auf der Entdeckung, dass in amorphem GaOx durch Kristallisation von Ga2O3 ein Leitfähigkeitsprung von 7 Größenordnungen bewirkt werden kann. Die Umwandlung von amorphem Galliumoxid in die kristalline Verbindung Ga2O3 lässt sich für definierte Bereiche in nanoskopischen Dimensionen durch einfachen Laserbeschuss induzieren. Dies lässt sich zur Herstellung von nicht-flüchtigen Daten-Speichermedien nutzen.
Kommerzielle Anwendung Die Phase Change ROM Technologie bietet die Grundlage für sehr langlebige Datenspeicher mit hoher Speicherdichte, die elektrisch oder optisch ausgelesen werden können.
Weitere Informationen: PDF
PROvendis GmbH
Tel.: +49 (0)208/94105 10
Ansprechpartner
Dipl.-Ing. Alfred Schillert
Media Contact
Alle Nachrichten aus der Kategorie: Technologieangebote
Neueste Beiträge
Die Lichtmodulation der Zukunft
Fraunhofer IPMS präsentiert seine photonischen Systeme auf der Photonix Japan. Mit seinen Flächenlichtmodulatoren bietet das Fraunhofer IPMS photonische Systeme inklusive Ansteuerelektronik und Software an, die eine exakte Steuerung, hohe Modulationsfrequenzen…
Effektives Energiekonzept für innovative Forschung
Max-Planck-Institute in Golm treiben nachhaltige Energiewende voran. Der Max-Planck-Campus in Golm setzt auf Nachhaltigkeit und autarke Energieversorgung. Mit einer Kombination aus Stromsparmaßnahmen und dem Ausbau erneuerbarer Energien streben die dort…
ZukunftsMissionBau – bezahlbar.nachhaltig.sicher
Sonderschau der Fraunhofer-Allianz Bau auf der Messe BAU 2025. Unter dem Motto »ZukunftsMissionBau – bezahlbar.nachhaltig.sicher« präsentiert die Fraunhofer-Allianz Bau vom 13. bis 17. Januar 2025 im Rahmen ihrer Sonderschau auf…