Plasmaätzprozess für Galliumnitrid
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum
Ätzen von Nanosäulen aus einem Galliumnitrid-Substrat, bei dem ein Ätzgas verwendet wird, das Wasserstoff und Schwefelhexafluorid enthält. Ein solcher Prozess kann zum Herstellen von Leuchtdioden oder anderen optischen Bauteilen benutzt werden.
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EZN Erfinderzentrum Norddeutschland GmbH
Tel.: +49 (0)511/85 03 08 – 0
Ansprechpartner
Dipl.-Ing. Andreas Deutsch
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