Bei Halbleitern sind "Defekte" durchaus erwünscht

21. Internationale Konferenz über Defekte in Halbleitern vom 16.-20. Juli in Gießen

Nach 27 Jahren findet die „International Conference on Defects in Semiconductors“ in diesem Jahr zum ersten Mal wieder in Deutschland statt. Unter der Leitung von Prof. Dr. Bruno K. Meyer (Universität Gießen) und Prof. Dr. J.-Martin Spaeth (Universität Paderborn) wird sie vom 16. bis 20. Juli 2001 in den Räumen des Fachgebiets Physik an der Justus-Liebig-Universität Gießen (Heinrich-Buff-Ring 14-20, 35392 Gießen) veranstaltet. Eröffnet wird die „21. Internationale Konferenz über Defekte in Halbleitern“ (ICDS 21) am Montag, den 16. Juli 2001, um 9 Uhr im Großen Hörsaal der Physik von Prof. Meyer.

Die internationale Konferenz über Defekte in Halbleitern ist eine der wichtigsten Konferenzen auf dem Gebiet der Halbleiterphysik. Halbleiter sind aus dem täglichen Leben nicht mehr wegzudenken, da sie unsere ganze „elektronische“ Umgebung erst möglich machen. Von der Quarz-gesteuerten Uhr über den PC bis zum Mobiltelefon: Entscheidend sind bei all diesen Geräten die Halbleiterbauelemente vor allem aus Silizium, aber auch aus anderen Halbleitern, wie Galliumarsenid für Mobiltelefone oder für die Optoelektronik, in Zukunft allerdings auch Galliumnitrid und Siliziumkarbid für die Herstellung von UV-Lasern bzw. elektronischen Leistungsbauelementen.

Ganz reine Halbleiter sind für all dies allerdings gar nicht zu gebrauchen. Man muss sie mit bestimmten Fremdatomen versehen („dotieren“), damit sie die gewünschten Eigenschaften zeigen. Diese Verunreinigungen, die in äußerst kleinen Konzentrationen beigegeben werden, stellen gewissermaßen Unregelmäßigkeiten der reinen Halbleiter-Kristallgitter dar und werden deswegen als Defekte bezeichnet. Somit ist das Studium der Defekte in Halbleitern auch technologisch ein sehr wichtiges Forschungsgebiet, auf welchem international die großen Elektronik-Firmen sowie zahlreiche Universitäten und Forschungsinstitute tätig sind, und das teilweise mit erheblichem Aufwand an Personal und Apparaturen. Dabei wird heute auch immer mehr das sogenannte „Defect Engineering“ betrieben, d.h. die maßgeschneiderte Herstellung von Halbleitern ganz bestimmter erwünschter Eigenschaften, nachdem die Rolle gewisser Defekte grundsätzlich verstanden ist.

Die ICDS 21 bringt Experten auf dem Gebiet der Forschung an Halbleiterdefekten aus allen Industrieländern zusammen. Die Veranstalter freuen sich besonders darüber, dass es ihnen gelungen ist, die internationale Tagung nach 27 Jahren wieder nach Deutschland zu holen (1974 fand sie in Freiburg statt). Gegenüber der letzten Tagung 1999 in Berkeley/USA erlaubt die zentrale Lage Deutschlands die Teilnahme von erheblich mehr Wissenschaftlern aus den osteuropäischen Ländern, wo nach wie vor das Arbeitsgebiet Halbleiterdefekte intensiv bearbeitet wird. Ein Zentrum dieser Arbeiten in Deutschland bildet der Forschungsschwerpunkt Materialforschung an der Justus-Liebig-Universität Gießen in der Physik.

An der Gießener Tagung nehmen etwa 340 Delegierte aus 39 Ländern mit starken Kontingenten aus Deutschland (80), USA (35), Japan (50), Großbritannien (20) und den GUS-Staaten (50) teil. Im Vordergrund der diesjährigen Tagung stehen neben den Forschungsarbeiten um das Silizium, dem immer noch wichtigsten Halbleiter, solche, die mit der zukünftigen Herstellung von Laser-Licht im blauen und ultravioletten Spektralbereich zusammen hängen (Galliumnitrid, Zinkoxid), einer eminent wichtigen Entwicklung für eine zukünftige Kommunikationstechnologie mit Lichtfasern, aber auch zur energiearmen Erzeugung beliebig farbigen Lichtes für generelle Anwendungen (z.B. großflächige Displays, Weißlichtquellen). Weiterhin stehen Entwicklungen bei den Materialien für die Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik (Mobilfunk) auf dem Tagungsprogramm, und nicht zu vergessen: Probleme bei Solarzellenmaterialien.

Die Veranstalter erwarten von der Tagung wichtige neue Impulse für Forschung und industrielle Anwendungen und auch, „dass junge Physiker sich verstärkt für dieses Forschungsgebiet interessieren, was besonders unser Land zunehmend bitter nötig hat“.

Kontaktadressen:

Prof. Dr. Bruno K. Meyer
I. Physikalisches Institut
Heinrich-Buff-Ring 14-20
35392 Gießen
Tel.: 0641/99-33100
Fax: 0641/99-33109
E-Mail: Bruno.K.Meyer@physik.uni-giessen.de

Prof. Dr. J.-Martin Spaeth
Fachbereich Physik
Warburgerstr. 100 a
33098 Paderborn
Tel.: 05251/60-2742
Fax: 05251/60-3247
Spaeth@physik.uni-paderborn.de